crf電漿清洗機刻蝕PTFE粗糙度效果好：
        crf電漿清洗機運行的功率并不是大就好，在較低功率下，處理的薄膜剪切強度隨之功率的增加而增加，達到峰值后強度逐漸下降。感應耦合等離子體蝕刻方式(ICPE)是化學過程和物理過程的綜合結果。它的基本原理是：在低壓下，由ICP射頻電源向環形耦合線圈輸出，通過耦合輝光放電，混合刻蝕氣體通過耦合輝光放電，形成高密度的等離子體，在下電極RF作用下，在基片表面躍遷，基片圖形區域內的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體形成揮發性物質，將氣體從基片中分離出來，抽離真空管。

       同樣條件下，O2等離子體處理比N2氣等離子體處理效果更好。如果需要進行蝕刻，以及蝕刻后需要清除污垢，浮渣，表面處理，等離子聚合，等離子灰化或任何其他蝕刻應用，我們可以按照客戶的要求，生產出安全可靠的等離子蝕刻機工藝。我公司兼具傳統的等離子型蝕刻系統和反應型離子型蝕刻系統，可以生產系列產品，也可以為客戶定制專用系統。我們可以提供快速/高質量蝕刻，提供所需的均勻度。
       隨之處理時間的延長，薄膜表面接觸角減小，但在一定時間內，接觸角幾乎沒有變化。等離子體處理可用于各種基底，復雜的幾何構形也可進行活化，清洗和鍍膜等。plasma處理的熱負荷和機械負荷較低，因此，低壓等離子也能處理敏感材料。
        以上結果說明，利用crf電漿清洗機表面處理PTFE粘性較好，需要不斷地調整各處理參數以獲得良好的處理工藝，crf電漿清洗機操作簡單，可設定多個實驗參數，同時也可儲存多種工藝參數，這對探尋工藝參數很有幫助。
crf電漿清洗機蝕刻機工藝的典型應用是：半導體/集成電路；氮化鎵；氮化鋁/氮化鎵；砷化鎵/砷化鋁鎵；砷化鎵；磷化銦、鎵/銦鎵化物(InPInGaAs/InAlAs)；硅；硅鍺；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氫；硒化鋅(ZnSe)；鋁；鉻；鉑；鉬；鈮；銦；鎢；銦錫氧化物；銦鈦酸鉛；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯(PTFE)；聚甲醛(POM)；聚苯并咪唑(PBI)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。