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CRF plasma 等離子清洗機(jī)

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頻次13.56Mhz的真空等離子設(shè)備在半導(dǎo)體封裝加工工藝內(nèi)的應(yīng)用

頻次13.56Mhz的真空等離子設(shè)備在半導(dǎo)體封裝加工工藝內(nèi)的應(yīng)用:
        現(xiàn)階段的電子器件清潔,通常是用等離子體清洗。傳統(tǒng)的電子器件采用的是濕法清潔,而在電路板上有些元器件,如晶振之類的,都會(huì)有金屬外殼,在清洗過后,很難將元器件里面的水分干燥,用酒精、天那水等人工進(jìn)行清洗,氣味大、清潔效率低,浪費(fèi)人工成本。
        電子器件或IC芯片是當(dāng)今電子產(chǎn)品的復(fù)雜基石。現(xiàn)代IC芯片包括印刷在晶片上的電子器件,并且附接到“封裝”,該“封裝”包括到pcb電路板的電連接,IC芯片焊接在pcb電路板上。用于IC芯片的封裝還提供遠(yuǎn)離晶片的磁頭轉(zhuǎn)移,并且在某些情況下,提供圍繞晶片本身的引線框架。當(dāng)IC芯片包括引線框架時(shí),晶片上的電連接結(jié)合到引線框架上的焊盤,然后引線框架焊接到封裝上。
IC芯片生產(chǎn)制造行業(yè)中,真空等離子設(shè)備處理技術(shù)己是一類不可替代的成熟工藝,不論是在芯片源離子的注入,還是晶元的鍍膜,亦或我們的低溫等離子表面處理設(shè)備所能做到的:在晶元表面去除氧化膜、有機(jī)物、去掩膜等超凈化處理及表面活化提高晶元表面浸潤性。

真空等離子設(shè)備

        半導(dǎo)體封裝中存在的問題主要包括焊接分層、虛焊或打線強(qiáng)度不夠,導(dǎo)致這些問題的罪魁禍?zhǔn)拙褪且€框架及芯片表面存在的污染物,主要有微顆粒污染、氧化層、有機(jī)物殘留等,這些存在的污染物使銅引線在芯片和框架基板間的打線焊接不完全或存在虛焊。
        真空等離子設(shè)備主要通過活性等離子體對材料表面進(jìn)行物理轟擊或化學(xué)反應(yīng)等單一或雙重作用,從而實(shí)現(xiàn)材料表面分子水平的污染物去除或改性。等離子清洗機(jī)有效應(yīng)用在半導(dǎo)體封裝工藝中,能夠有效去除材料表面的有機(jī)殘留、微顆粒污染、氧化薄層等,提高工件表面活性,避免鍵合分層或虛焊等情況。
         頻次13.56Mhz的真空等離子設(shè)備清洗技術(shù)也將不斷發(fā)展并擴(kuò)大應(yīng)用范圍,以目前的情況來說,其工藝技術(shù)推廣到LED封裝及LCD行業(yè)趨勢勢在必行。等離子表面清洗技術(shù)在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域內(nèi)的應(yīng)用將越來越廣泛,并以其優(yōu)良的性能成為21世紀(jì)半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域內(nèi)關(guān)鍵生產(chǎn)裝置,成為大規(guī)模生產(chǎn)過程中提高產(chǎn)品成品率及可靠性的重要工藝措施,未來必然不可或缺。

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