CMOS工藝中等離子體發(fā)生器損傷WAT試驗(yàn)：
       WAT(WaferAcceptTest)也就是說(shuō)，硅片接收測(cè)試是在半導(dǎo)體硅片完成所有工藝后，對(duì)硅片上的各種測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行電氣測(cè)試。它是反映產(chǎn)品質(zhì)量的手段，也是產(chǎn)品入庫(kù)前的最后一次質(zhì)量檢驗(yàn)。
       隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體技術(shù)已廣泛應(yīng)用于集成電路制造、離子注入、干刻蝕、干去膠等領(lǐng)域，UV等離子體損傷可能導(dǎo)致輻射、薄膜積累等，而傳統(tǒng)的WAT結(jié)構(gòu)無(wú)法監(jiān)測(cè)，可能導(dǎo)致設(shè)備早期故障。

       CRF等離子體發(fā)生器廣泛應(yīng)用于集成電路制造中，比如等離子體發(fā)生器刻蝕、等離子體增強(qiáng)式化學(xué)氣相淀積、離子注入等。它具有方向性好、反應(yīng)快、溫度低.均勻性好等優(yōu)點(diǎn)。
       但同時(shí)也帶來(lái)了電荷損傷，由于它能影響固定電荷密度、界面狀態(tài)密度、平帶電壓、漏電流等參數(shù)，因此隨著柵氧化層厚度的不斷降低，這種損傷會(huì)對(duì)MOS設(shè)備的可靠性產(chǎn)生越來(lái)越大的影響。
       帶天線器件結(jié)構(gòu)的大面積離子收集區(qū)(多晶或金屬)一般位于厚的場(chǎng)氧之上，因此只需要考慮薄柵氧上的隧道電流效應(yīng)。大面積的收集區(qū)稱為天線，帶天線器件的隧道電流放大倍數(shù)等于厚場(chǎng)氧上的收集區(qū)面積與柵氧區(qū)面積之比，稱為天線比。如果柵氧區(qū)較小，而柵極面積較大，大面積柵極收集到的離子將流向小面積的柵氧區(qū)，為了保持電荷平衡，由襯底注人柵極的隧道電流也需要隨之增加，增加的倍數(shù)是柵極與柵氧面積之比，放大了損傷效應(yīng)，這種現(xiàn)象稱為“天線效應(yīng)”。
       對(duì)于柵注入的情況，隧道電流和離子電流之和等于等離子體中總的電子電流。因?yàn)殡娏骱艽螅词箾](méi)有天線的放大效應(yīng)，只要柵氧化層中的場(chǎng)強(qiáng)能產(chǎn)生隧道電流，就會(huì)引起等離子體損傷。
       在正常的電路設(shè)計(jì)中柵端一般都需要開(kāi)孔經(jīng)多晶或金屬互連線引出做功能輸入端，就相當(dāng)于在薄弱的柵氧化層上引入了天線結(jié)構(gòu)，所以在正常流片及WAT監(jiān)測(cè)時(shí)所進(jìn)行的單管器件電性測(cè)試和數(shù)據(jù)分析無(wú)法反映電路中實(shí)際的等離子體損傷情況。
       氧化層繼續(xù)變薄到3nm下面，充電損傷基本上不用考慮，因?yàn)閷?duì)于3，nm就氧化層厚度而言，電荷積累是直接隧道穿越過(guò)氧化層的勢(shì)壘，不會(huì)在氧化層中產(chǎn)生電荷缺陷。